導(dǎo)電類型鑒別儀、單晶少子壽命測試儀、CV電容電壓特性測試儀、恒流源

四探針測試儀、方塊電阻測試儀、導(dǎo)電類型鑒別儀、單晶少子壽命測試儀

SDY-4型四探針測試儀 全自動四探針測試儀

SDY-4型四探針測試儀 SDY-4型四探針測試儀是根據(jù)單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)測試儀器. 儀器以大規(guī)模集成電路為核心部件,采用平面輕觸式開關(guān)控制,及各種工作狀態(tài)LED指示.應(yīng)用微計(jì)算機(jī)技術(shù)，利用HQ-710E型測量數(shù)據(jù)處理器，使得測量讀數(shù)更加直觀、快速，并能實(shí)現(xiàn)晶片厚度自行修正，打印出全部預(yù)置和測量、計(jì)算數(shù)據(jù)。整套儀器體積小、功耗低、測量精度高、測試速度快、穩(wěn)定性好、易操作。 SDY4四探針測試儀 本儀器可滿足半導(dǎo)體材料、器件的研究生產(chǎn)單位對材料(棒材、片材)電阻率及擴(kuò)散層、離子注入層、異型外延層和導(dǎo)電薄膜方塊電阻測量的需要。 技術(shù)指標(biāo) 1 測量范圍: 電阻率:0.001-200Ω.cm(可擴(kuò)展); 方塊電阻:0.01-2000Ω/口(可擴(kuò)展); 2 可測晶片直徑(zui大):100mm(配J-2B型手動測試臺) 200mm(配J-51型手動測試臺) 3 恒流源:電流量程分為0.1、1、10、100(mA)四檔,各檔電流連續(xù)可調(diào).誤差<±0.3% 4 數(shù)字電壓表: 量程:0-199.99mV; 分辨率:10μV 顯示:四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示;極性、小數(shù)點(diǎn)、超量程自動顯示。 輸入阻抗>1000MΩ; 精度:±0.1%. 5 zui大電阻測量誤差(按JJG508-87進(jìn)行):0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字. 6 四探針探頭: 間距:1±0.01mm;針間絕緣電阻≥1000MΩ;機(jī)械游移率:≤0.3% 探針壓力:TZT-9A/9B: 12-16牛頓(總力) TZT-9C/9D 5-8 牛頓(總力) 7 整機(jī)不確定度:(用硅標(biāo)樣片測試)≤5% (0.01-180Ω.cm) 8 外形尺寸:電氣主機(jī):360mm×320mm×100mm；數(shù)據(jù)處理器：300mm×210mm×105mm 9 數(shù)據(jù)處理器功能: A 鍵盤控制測量取數(shù),自動進(jìn)行電流換向,并進(jìn)行正反向電流下的電阻率(或方塊電阻)測量,顯示出平均值.測薄片時(shí),可自動進(jìn)行厚度修正; B 鍵盤控制數(shù)據(jù)處理,運(yùn)算電阻率平均值和電阻率值zui大百分變化及平均百分變化; C 鍵盤控制打印全部測量數(shù)據(jù).測量條件、zui大電阻率值、zui小電阻率值、電阻率zui大百分變化及平均百分變化。 10 儀器重量：電氣主機(jī)：約4kg；測試臺：約10kg，數(shù)據(jù)處理器：約2.5kg 11 測試環(huán)境：溫度23±2℃；相對濕度≤65％；無高頻干擾；無強(qiáng)光照射。